2SA1417S-TD-E datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  2SA1417S-TD-E
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor 2SA1417S-TD-E RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: PNP Collector- Base Voltage VCBO: - 120 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: - 100 V Emitter- Base Voltage VEBO: - 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage: - 0.22 V Maximum DC Collector Current: - 3 A Gain Bandwidth Product fT: 120 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-62 Continuous Collector Current: - 2 A DC Current Gain hFE Max: 400 Maximum Power Dissipation: 1.5 W Minimum Operating Temperature: - 55 C
• Количество страниц
  7 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  171,53 KB

2SA1417S-TD-E datasheet скачать

2SA1417S-TD-E datasheet